檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "洪儒生".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="陳良益"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
2
本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
3
本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
4
近幾年來，使用二氧化鈦材料所製備的染料敏化太陽能電池被廣泛的研究，在整個電池中，二氧化鈦的形態、結構及尺寸皆為影響電池效率的因子。本研究中主要進行一維形態之二氧化鈦奈米柱的製備，並將其應用在染料敏化…